一种新的在半导体中掺入杂质的方法

一种新的在半导体中掺入杂质的方法

应用领域:先进制造与自动化

我有意向
国家/地区

中国

行业领域

先进制造与自动化

简介

本项目设计开发了一种新的在半导体材料或半成品器件中掺入杂质的方法:在等离子体激励下非高温(0-200℃)和无须外加电压的条件下实现扩散掺杂。依赖于所采用的半导体材料、掺杂杂质和本项掺杂方法的实施条件(时间、温度和功率等),半导体表面杂质浓度达1018-1021/cm3,掺杂深度在5-100 nm范围。

匹配结果

400 000 2950

需求提交

请输入姓名
请输入有效的电话号码
请输入事项描述
上传图片、文件。例如,“100个小能玩偶,参考上传的设计图。

意向填写

请输入姓名
请输入有效的电话号码
请输入事项描述
上传图片、文件。例如,“100个小能玩偶,参考上传的设计图。