（1）提出适用于倒装LED芯片的指-孔复合型（V-F）等大（芯片P/N Pad面积相等）电流扩展电极，实现最小发光面积损失与一次钝化等大电极制备，避免了由于P/N Pad面积不等造成的应力向P型Pad集中的问题。（2）提出新型薄膜衬底（TFS）CSP封装LED器件制备方法，该方法创新性的采用半封装阵列磨削技术制备陶瓷薄膜，用作CSP封装衬底，薄膜厚度小于100μm，具有强度高、散热好，应力屏蔽能力强等优点，由该衬底制成的CSP LED器件可靠性高，可直接贴装于MCPCB之上，大大提高了LED应用的灵活性。（3）提出了平面塑封-定距精密切割一体成形CSP LED荧光涂层制备方法，这种方法根据LED芯片尺寸，定量精确控制LED芯片侧面、顶面荧光涂层厚度，有助于提高器件光色品质与器件光色一致性。