本成果基于团队过往从业经历及行业经验，结合国内外硅基氮化镓相关技术及市场资料，进行对比分析，总结相关技术特点，全面了解掌握硅基氮化镓技术的动态发展趋势和方向，寻求技术与市场的关键结合点，开发出符合市场需求的产品，提升产业化效率。项目难点：高质量的外延材料也是确定器件击穿电压的关键因素。外延材料的生长需要精确控制各层的组分，从而获得稳定的高迁移率二维电子气沟道，从而降低器件电阻。 本成果通过以下技术研究开发实现：1、高均匀性、低翘曲度、低漏电8英寸硅基氮化镓MOCVD外延生长技术；2、增强型8英寸硅基氮化镓芯片制造技术：开发无金CMOS兼容全流程制造工艺，包括低损伤氮化镓刻蚀技术、低欧姆接触技术、氮化镓表面钝化技术、芯片平坦化技术；3、研究增强型硅基氮化镓功率电子系列产品，工作电压覆盖30V-200V；4、研究氮化镓器件的失效机理与可靠性提升技术，特别是与 JEDEC 与 AEC 等国际质量标准体系对接,打破硅基氮化镓产品在国内通过JEDEC可靠性的空白。