利用低温AlN薄膜衬底制备低成本GaN同质衬底及产业化

利用低温AlN薄膜衬底制备低成本GaN同质衬底及产业化

应用领域:新材料

我有意向
国家/地区

中国

行业领域

新材料

简介

(1)采用MOCVD在蓝宝石衬底上制备数百纳米厚度的低植缓冲层,然后在其上高温生长几微米的GaN单晶层:(2)采用HYPE技术制备GaN单晶层而成为GaN复合 衬底;(3)通过激光剥离(LLO) 技术或者其他工艺去除蓝宝石衬底。 这种制备的GaN自支撑衬底由于制备成本居高不下售价昂贵。通过综合采用低温 AIN薄膜衬底技术与HYPE技术,开发出 种低成本制各高质量GaN衬底的技术路线,获得了2英寸GaN自支撑衬底。

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400 000 2950

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