一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件及其制备方法

一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件及其制备方法

应用领域:新材料

我有意向
国家/地区

中国

行业领域

新材料

简介

成果简介(技术分析和应用前景分析):本成果研发了一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件,其为层状结构,由上至下依次包括Pd金属前电极、MoS2薄膜层、缓冲层、p型单晶Si基片和金属In背电极,其中,缓冲层为具有宽禁带的介质材料,禁带宽度Eg>3.0eV,作用主要包括两方面:一是,能够提高异质结界面内建电场;二是,阻挡载流子的界面复合特征。本发明通过界面缓冲层的引入,显著提高了器件的光伏性能,对比测试结果表明:开路电压、短路电流密度和光转换效率分别提高了69%以上、47%以上和85%以上。本发明具有器件结构简单,工艺简单、成品率高、制造成本低、生产过程无污染等特点,适于规模化工业生产。

匹配结果

400 000 2950

需求提交

请输入姓名
请输入有效的电话号码
请输入事项描述
上传图片、文件。例如,“100个小能玩偶,参考上传的设计图。

意向填写

请输入姓名
请输入有效的电话号码
请输入事项描述
上传图片、文件。例如,“100个小能玩偶,参考上传的设计图。