低成本掩膜和开槽工艺

低成本掩膜和开槽工艺

应用领域:先进制造与自动化

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国家/地区

中国

行业领域

先进制造与自动化

简介

拟开发的激光开槽设备和工艺达到如下指标:(1)金字 塔绒面开槽的宽度 30 微米,且开槽宽度均匀;(2)标准 210*210mm 硅 片的开槽工艺时间 10 秒;(3)开槽工艺对异质结电池表面损伤小,开 槽后异质结电池的暗饱和电流密度 10 fA/cm2;(4)激光开槽镀铜金属 化异质结太阳电池的转换效率 24.5%。

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400 000 2950

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