4.34E+11

DPBW06F-15

PT15NV02-103A2020-E-PM-S

C1825C153KGRAC7800

NCP1117ST33T3G

UCD2A220MNL1GS

726386-2

BZX84C62LT1G

BZX84C68LT1G

PESD12VS1UA,115

STE PECVD200等离子体增强化学气相沉积系统

STE PECVD200设计用于在高达200mm的晶片上以电容放电的方式对电介质（SiNx、SiO2等）进行等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。该系统设计允许将射频电位切换到盘式淋浴器和工作台。主要优势：1.蚀刻/沉积均匀度为晶圆的±2%；2.优化的供气系统；3.按配方进行工艺流程；4.安装“穿过墙壁”；5.自动晶片装载；6.盒式晶片装载能力