B82559A7103A020

FOD2742B

P0640EAL

TSX-3225 24.0000MF20G-AC3

P0640EAL

CB3LV-5I-25M0000

SRN6045TA-100M

ACZRC5365B-G

CB3LV-5C-20M0000

PCF8575TS/1,118

STE PECVD200等离子体增强化学气相沉积系统

STE PECVD200设计用于在高达200mm的晶片上以电容放电的方式对电介质（SiNx、SiO2等）进行等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。该系统设计允许将射频电位切换到盘式淋浴器和工作台。主要优势：1.蚀刻/沉积均匀度为晶圆的±2%；2.优化的供气系统；3.按配方进行工艺流程；4.安装“穿过墙壁”；5.自动晶片装载；6.盒式晶片装载能力