磁控溅射和电阻热蒸发系统STE MS900适用于研发和试生产,并确保获得极其广泛的多层涂层(金属、电介质、电阻合金、ITO 薄膜等)。优化的STE MS900 HV 蒸发室包括一个固定源块和一个升降顶盖。符合人体工程学的设计,配备有升降机构,方便维护蒸发器和用于收集溅射材料的屏幕系统。主要优势:1.通过 180° 晶圆支架翻转实现双面溅射;2.采用锁室配置的“穿墙式”安装。
STE MS150系统的灵活配置允许使用各种源及其组合,并为金属和电介质薄膜的磁控溅射和电阻热蒸发提供广泛的功能。 主要优势:1.灵活配置;2.由于使用柔性支架上的源而产生共焦溅射;3.垂直于晶圆批量加工转盘旋转平面的磁控管源设置。
STE EB65系统用于 在高真空条件下获取金属、电介质和半导体材料薄膜,一次性批量装载最大 3ר200mm 的晶圆。STE EB65系统的特殊之处在于蒸发室,它由真空闸阀隔开,用于快速抽空主容积并在晶圆装载后启动工艺过程。主要优势:1.蒸发室体积密封隔离;2.由于采用特殊的“掩模”技术,厚度均匀性得到改善。
STE EB71系统适用于高真空和超高真空环境下的电子束薄膜蒸发。系统设计允许通过调节蒸发器与晶圆之间的距离来优化材料消耗。特殊的“掩模”技术可确保蒸发材料的高均匀性。主要优势:1.超高真空下的高质量薄膜沉积;2.通过调节蒸发到晶圆的距离来优化材料消耗;3.由于采用特殊的“掩模”技术,厚度均匀性得到改善。
STE35R技术平台专为半导体异质结构的批量生产而设计,允许通过机器人 UHV 集群工具组合多个生长室。 STE35R适用于 A3B5、A2B6、A3N 化合物以及 A3B5/A2B6 混合纳米异质结构的外延生长。
现代化的半自动化技术平台,用于在最大 Ø150mm 的基板上精确生长 A3B5、A2B6 或 A3N 化合物。 该平台专为外延异质结构的研发和试生产而设计。STE35配置灵活,可配备各种带有 10 或 12 个分子源端口的生长室。最佳生长几何结构可实现优异的厚度和成分均匀性。
产品采用多模态的瞬态电磁计算,利用FFT的频谱分析作为优化条件,从而分解出造成力矩波动的核心参数,并对此进行优化设计,针对性地降低不同频率下的振动幅值,从而有效地减小噪音。可根据客户需求,提供恒功率、恒分压、恒风量等控制策略。